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先导微电子申请一种离子源和镀膜装置专利提高了镀膜均匀性

发布时间:2025-11-30 20:11:28点击量:

  金融界2025年8月19日消息,国家知识产权局信息显示,江苏先导微电子科技有限公司申请一项名为“一种离子源和镀膜装置”的专利,公开号CN120511181A,申请日期为2025年05月。

  专利摘要显示,本发明涉及真空镀膜技术领域,具体公开了一种离子源和镀膜装置,包括:两组成夹角分布的线性单体,线性单体包括:基座,具有沿长度方向延伸的容纳槽和与容纳槽连通的基座进气接口;永磁体,设于容纳槽中;电极,设于容纳槽中且位于永磁体的两侧;绝缘层,设于容纳槽中且用于隔离电极和永磁体,绝缘层沿长度方向均布有多个进气孔;外框,安装于基座且位于容纳槽的开口处;以及内板,设于外框中,内板的外沿与外框的内壁之间形成间隙区域;其中,基座进气接口、进气孔和间隙区域依次贯通。

  天眼查资料显示,江苏先导微电子科技有限公司,成立于2021年,位于徐州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本58824万人民币。通过天眼查大数据分析,江苏先导微电子科技有限公司参与招投标项目20次,财产线条,此外企业还拥有行政许可13个。

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